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정상구Sang-Koo Chung

  • 소속 전자공학과
  • 연구실
  • 이메일 skchung0106@hanmail.net
  • 내선번호

관심분야

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학력

  • 1974.08 University of Washington, Seattle 박사

경력

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대표논문

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연구활동

  • [논문] 정상구, 최연익, 최이권, Breakdown voltage and on-resistance of multi-RESURF LDMOS, Microelectronic Engineering, Vol.34, No.5, pp. 683-686 (5월, 2003)
  • [논문] 정상구, 최연익, 한상길, An analytic model for breakdown voltage of gated diodes, Microelectronic Engineering, Vol.34, No.5, pp. 525-527 (5월, 2003)
  • [논문] 정상구, 김정희, Impurity Profile Effects of Buffer Layer on PT-IGBT Characteristics, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.50, No.2, pp. 1-4 (1월, 2003)
  • [논문] 정상구, 김형우, 박일용, 최연익, Breakdown voltage and on-resistance of the multi-resurf SOI LDMOSFET with recessed source, Physica Scripta, Vol.T101, No.1, pp. 18-21 (11월, 2002)
  • [논문] 최연익, 김선호, 박일용, 정상구, Analytical model of breakdown voltage and on-resistance for PN diodes with linearly doped epi layer, Physica Scripta, Vol.T101, No.1, pp. 234-237 (11월, 2002)
  • [논문] 정상구, 김민수, 최연익, Analysis of temperature behavior of the NPT-IGBT's characteristics, Physica Scripta, Vol.T101, No.1, pp. 218-222 (10월, 2002)
  • [논문] 정상구, 한승엽, Design curves of breakdown voltage at field plate edge and effects of interface charge, Microelectronics Journal, Vol.33, No.02, pp. 1-10 (2월, 2002)
  • [논문] 정상구, 김선호, 최연익, 박일용, Enhancement of breakdown voltage for SOI RESURF LDMOS employing a buried air structure, Journal of the Korean Physical Society, Vol.39, No.1, pp. S39-S41 (12월, 2001)
  • [논문] 정상구, 김민수, 최연익, Temperature dependence of the NPT-IGBT's characteristics, Journal of the Korean Physical Society, Vol.39, No.1, pp. S74-S77 (12월, 2001)
  • [논문] 최연익, 모선일, 박일용, 임한조, 정상구, 최진성, 한민구, Numerical analysis on the LDMOS with a double epi-layer and trench electrodes, Microelectronics Journal, Vol.32, No.5-6, pp. 497-502 (5월, 2001)
  • [논문] 정상구, Response to the comments, Solid-State Electronics, Vol.45, No.03, pp. 537- (3월, 2001)
  • [논문] 정상구, 배동건, An Analytical Model for Punch-through Limited Breakdown Voltage of Planar Junction with Multiple Floating Field Limiting Rings, Solid-State Electronics, Vol.44, No.12, pp. 1-8 (12월, 2000)
  • [논문] 최연익, S.-H. Kim, S.-J. Yoo, 정상구, Numerical analysis of SOI LDMOS using a recessed source and a trench drain, Microelectronics Journal, Vol.31, No.11-12, pp. 963-967 (12월, 2000)
  • [논문] 정상구, 김형우, 한승엽, Surface field distribution and breakdown voltage of RESURF LDMOSFETs, ELSEVIER, Vol.31, No.08, pp. 685-688 (8월, 2000)
  • [논문] 정상구, An Analytical Model for Breakdown Voltage of Surface Implanted SOI RESURF LDMOS, IEEE Transactions Electron Devices, Vol.47, No.5, pp. 1006-1009 (5월, 2000)
  • [논문] 정상구, 박일용, 최연익, 정용성, Temperature dependent effective ionization coefficient for Si, Microelectronic Engineering, Vol.46, No.1, pp. 535-540 (1월, 2000)
  • [논문] 정상구, 신동구, An Analytical Model for Interaction of SIPOS Layer with Underlying Silicon of SOI RESURF Devices, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.46, No.8, pp. 1804-1807 (8월, 1999)
  • [논문] 최연익, Hoie-Yoon Yang, Sung-Lyong Kim, 정상구, Min-Koo Han, A low on-resistance SOI LDMOS with an elevated internal ring, Physica Scripta, Vol.T79, No.1, pp. 303-306 (4월, 1999)
  • [논문] 정상구, 배동건, A Closed Form Expression for Punch-through Limited Breakdown Voltage of Parallel-plane Junction, Solid-State Electronics, Vol.43, No.3, pp. 503-504 (2월, 1999)
  • [논문] 정상구, Injection Currents Analysis of p+/n-Buffer Junction, TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES, Vol.45, No.8, pp. 1850-1854 (8월, 1998)
  • [논문] 정상구, 한성엽, Analytical Model for the Surface Field Distribution of SOI RESURF Devices, IEEE Trasactions on ELECTRON DEVICES, Vol.45, No.6, pp. 1374-1376 (6월, 1998)
  • [논문] 정상구, 배동건, An Analytic Model of Planar Junctions with Multiple Floating Field Limiting Ring, Solid-State Electronics, Vol.41, No.01, pp. 100-102 (2월, 1998)
  • [논문] 정상구, 정영성, 한승엽, Closed-Form Analytical Expressions for the Breakdown Voltage of GaAs Parallel-plane p+n Junction in <100>,<110> and<111> Orientations, Solid-State Electronics, Vol.39, No.11, pp. 1678-1680 (11월, 1996)
  • [논문] 정상구, 나종민, 신진철, 한승엽, An Analytical Model of the breakdown Voltage and Minimum Epi Layer Length for RESURF pn diodes, Solid-State Electronics, Vol.39, No.8, pp. 1247-1248 (8월, 1996)
  • [논문] 정상구, S.Y.Han, 김상배, An Analytical Model for Minimum Drift Rgion Length of SOI RESURT Diodes, ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol.17, No.1, pp. 22-24 (1월, 1996)
  • [논문] 정상구, Y.T.Kim, C.H.Jun, H.J.Yoo, J.T.Baek, Sensitivity analysis of Ion Implanted Silicon Wafers afterRapid Thermal Annealing, J. of Electronic Materials, Vol.24, No.10, pp. 1413-1417 (10월, 1995)
  • [논문] 정상구, D.C.Yoo, Y.I.Choi, An analytical method for two-dimensional field distribution of a MOS structure with a finite field plate, Transaction Electron Devices, Vol.42, No.1, pp. 192-194 (1월, 1995)
  • [논문] 정상구, T.H.Moon, Calculation of Avalanche Breakdown Voltage of the InP p+-nJunction, Solid-State Electronics, Vol.37, No.1, pp. _-_ (1월, 1994)
  • [논문] S.K.Hwang, 정상구, C.K.Kim, K.Lee, O.K , A Power MOSFET Design Methodolgy Considering epi ParameterVariation, Transaction Semiconductor Manufacturing, (11월, 1993)
  • [논문] 정상구, C.H.Jun, Y.T.Kim, Effects of Chlorine Based Gettering on the Electrical Prope-rties of Rapid Thermal Oxidation/Nitridation Dielectric Films, J. of Vacuum Science and Technology, Vol._, No._, pp. 1039-1043 (8월, 1993)
  • [논문] 정상구, 강영수, The Characteristics of a Dual Gate Trench Emitter IGBT, Transaction KIEE, Vol.49C, No.09, pp. 523-526 (9월, 2000)
  • [논문] 최연익, 박일용, 정상구, 실리콘 전력 MOSFET의 온도에 따른 항복전압 및 ON 저항, 전기학회 논문지 C, Vol.49C, No.4, pp. 246-248 (4월, 2000)
  • [논문] 정상구, 이세규, Lifetime Control을 이용한 IGBT의 스위칭 특성 개선, 전기학회논문지, Vol.49c, No.3, pp. 165-168 (3월, 2000)
  • [논문] 정상구, 최병성, IGBT 순방향 전압강하의 계산, 전기학회논문지, Vol.49c, No.3, pp. 161-164 (3월, 2000)
  • [논문] 정상구, 배동건, Punchthrough 원통형 접합의 항복전압에 대한 해석적 모델, 전자공학회논문지, Vol.36, No.D-4, pp. 70-76 (4월, 1999)
  • [논문] 정상구, 한승엽, RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰, 전자공학회논문지, Vol.35D, No.8, pp. 38-43 (8월, 1998)
  • [논문] 정상구, 한승엽, A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS, Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics, Vol.35D, No.8, pp. 38-43 (8월, 1998)
  • [논문] 정상구, 정진영, 한승엽, SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적인 표현, 대한전기학회 논문지, Vol.33-A, No.6, pp. 1735-1737 (12월, 1996)
  • [논문] 정상구, 정진영, 한승화, 이중 에피층을 갖는 Shottky 다이오드의 항복전압에 대한 해석적인 모델링, 대한전기학회 논문지, Vol.45, No.12, pp. 1738-1741 (12월, 1996)
  • [논문] 정상구, 배동건, 다수의 전계 제한링을 갖는 Planar 소자의 해석적인 모델, 대한전자공학회 논문지, Vol.33-A, No.6, pp. 136-143 (6월, 1996)
  • [논문] 정상구, 한승엽, Field Plate 구조의 표면 포텐셜과 항복전압의 결정 및 계면전하의 영향, 전기학회 논문지, Vol.45, No.1, pp. 86-92 (1월, 1996)
  • [논문] 정상구, 나종민, 신진철, 한승엽, On the minimum Epi Layer Length of RESURF Diodes, 전기학회 논문지, (1월, 1996)
  • [논문] 나종민, 신진철, 정상구, 한승엽, RESURF 다이오드의 최소 에피층 길이에 대한 소고, 대한전기학회 논문지, Vol.45, No.1, pp. 164-166 (1월, 1996)
  • [논문] 정상구, 한승엽, 수평형 p-i-n 광다이오드의 제작, 특성 측정 및 광제어 스터브 장착 위상기의 설계, 전자공학회 논문지, Vol.32, No.1, pp. 89-96 (1월, 1995)
  • [논문] 정상구, 신진철, 한승엽, SOI PN 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 관한 연구, 전자공학회 논문지, Vol.31, No.12, pp. 100-105 (12월, 1994)
  • [논문] 정상구, 라경만, Field Limiting Ring 구조의 해석적 모델, 전자공학회 논문지, Vol.31, No.7, pp. 95-101 (7월, 1994)
  • [논문] 정상구, 도만희, 한영수, 레이저 다이오드의 내부손실 및 내부 양자효율 측정법에 대한재고찰, 전자공학회논문지, Vol.31, No.5, pp. 121-125 (5월, 1994)
  • [학술회의] 정상구, 최연익, 최이권, Breakdown voltage and On-resistance of multi-RESURF LDMOS, 4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, Vol.1, No.1, pp. PSII-7-PSII-7 (12월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 최연익, 한상길, Breakdown voltage of gated diode, 4th International conference on low dimensional structures and devices, Vol.1, No.1, pp. PSII41-PSII41 (12월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 최연익, 홍지훈, Optimum Cell Spacing for Minimum On-resistance of Low Voltage Trench Power MOSFET, 6th International Seminar on Power Semiconductors, Vol.vol 1, No.01, pp. 217-220 (9월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 문진우, 최연익, Trench Schottky Barrier Diode with Guard Ring, 6th International Seminar on Power Semiconductors, Vol.vol 1, No.01, pp. 173-176 (9월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 박동욱, 최연익, Optimization of Gate Length for Minimum Forward Voltage Drop of NPT IGBTs, 6th International Seminar on Power Semiconductors, Vol.vol 1, No.01, pp. 221-224 (9월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 김정희, 최연익, Effect of Impurity Profile in Buffer Layer on PT-IGBT's Characteristics, 6th International Seminar on Power Semiconductors, Vol.vol 1, No.01, pp. 225-228 (9월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 송세원, 최연익, Cell-type Zener diode with optimum cell spacing, 11th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications, Vol.2002, No.01, pp. 125-126 (8월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 최연익, 강영수, 김형우, Trench emitter IGBT with lateral and vertical MOS channels, 23rd International Confernce on Microelectronics, Vol.vol 1, No.01, pp. 163-166 (5월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 김민수, 김형우, 최연익, Excess carrier density and forward voltage drop in trench IGBT(TIGBT), 23rd International Conference on Microelectronics, Vol.vol 1, No.01, pp. 185-188 (5월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 문진우, 최연익, Improved Trench MOS Barrier Schottky(TMBS) Rectifier, 23rd International Conference on Microelectronics, Vol.vol 1, No.01, pp. 189-192 (5월, 2002)
  • [학술회의] 최연익, 김선호, 정상구, Analytical model of the PN diodes with linearly doped epi layer, 19th Nordic Semiconductor Meeting, Vol.19, No.1, pp. 97- (5월, 2001)
  • [학술회의] 정상구, 김형우, 최연익, Breakdown voltage and on-resistance of the multi-resurf SOI LDMOSFET with recessed source, 19 th Nordic Semiconductor Meeting, Vol.19, No.1, pp. 44- (5월, 2001)
  • [학술회의] 정상구, 김민수, 최연익, Analysis of temperature behavior of the NPT-IGBT's characteristics, 19th Nordic Semiconductor Meeting, Vol.19, No.1, pp. 84-84 (5월, 2001)
  • [학술회의] 최연익, 김선호, 박일용, 정상구, High Voltage SOI RESURF LDMOS with an Air Insulator, The 10th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications, Vol.01, No.01, pp. 73-74 (11월, 2000)
  • [학술회의] 정상구, 김민수, Temperature Dependence of the NPT-IGBT's Characteristics, The 10th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications, Vol.01, No.01, pp. 124-125 (11월, 2000)
  • [학술회의] 최연익, 김선호, 김성룡, 김형우, 박일용, 정상구, High voltage SOI RESURF LDMOS with an air insulator, The 10th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications, Vol.10, No.1, pp. 73-74 (11월, 2000)
  • [학술회의] 정상구, 김형우, 박일용, Study on the breakdown and on-state characteristics of the multi-resurf SOI LDMOSFET with recessed source, The 10th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications, Vol.01, No.01, pp. 117-118 (11월, 2000)
  • [학술회의] 최연익, 유승진, 정상구, Fablication and Characteristics of SOI IMPATT Diodes, 5th International Seminar on Power Semiconductors, Vol.ISPS2000, No.1, pp. 139-142 (9월, 2000)
  • [학술회의] 정상구, 김형우, 최연익, 신동구, Peripheral Structure of IGBT Terminated with Field Plate and Semi-resistive(SIPOS) Layer, 5th International Seminar on Power Semiconductors, Vol.ISPS2000, No.1, pp. 223-226 (8월, 2000)
  • [학술회의] 정상구, 박일dyd], 최연익, LDMOS with Uniform Drift Current Density by Employing Double Epi-Layer and Trenched Electrodes, 5th International Seminar on Power Semiconductors, Vol.ISPS2000, No.1, pp. 243-246 (8월, 2000)
  • [학술회의] 최연익, 박일용, 정상구, 한민구, Reachthrough PN diodes with nearly ideal breakdown voltage, International Seminar on Power Semiconductors, Vol.ISPS2000, No.1, pp. 93-96 (8월, 2000)
  • [학술회의] 정상구, 최연익, 정 용 성, Temperature dependent effective ionization coefficient for Si, LDSD'99, Vol.Abstract, pp. 101- (9월, 1999)
  • [학술회의] 정상구, 김성룡, 박일용, 최연익, Linearly-graded surface doped SOI LDMOSFET with recessed source, LDSD'99, Vol.-, No.-, pp. 132- (9월, 1999)
  • [학술회의] 최연익, 김성룡, 박일용, 정상구, 조중열, Latch-up suppressed LIGBT with an n-type ring, Proc. EPE`97, Vol.1, No.1, pp. 3027-3030 (9월, 1997)
  • [학술회의] S.Y.Han, 정상구, B.H.Lee, H.S.KIM, J.H.Kim, M.K.Han, The Modified HSINFET Using the Trenched JBS Injector, Proceedings of the 7th Interna. Symp.on Power Semicond.Devices, Vol._, No._, pp. 247-251 (5월, 1995)
  • [학술회의] 정상구, 최연익, 홍지훈, Calculation of potimum cell spacing for minimum on-resistance of trench power MOSFET, 전기물성.응용부문회 추계학술대회, Vol.1, No.1, pp. 13-15 (11월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 최연익, 최이권, Multi RESURF 구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압, 전기물성.응용부문회 추계학술대회, Vol.1, No.1, pp. 156-158 (11월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 박동욱, 최연익, 최소 순방향 전압강하를 위한 NPT IGBT 의 최적게이트 길이 설계, 전기물성.응용부문회 추계학술대회, Vol.1, No.1, pp. 9-12 (11월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 송세원, 최연익, N+P+P-N+ 구조를 가진 Punch-through 다이오드의항복전압 특성, 전기물성.응용부문회 추계학술대회, Vol.1, No.1, pp. 3-5 (11월, 2002)
  • [학술회의] 정상구, 김정희, 최연익, Emitter Injection Efficiency of Gaussian Impurity Distributions in PT-IGBT, 추계학술대회, Vol.2001, No.1, pp. 165-167 (11월, 2001)
  • [학술회의] 정상구, 문진우, 최연익, Trench Schottky Diode with Guard Ring, 추계학술대회, Vol.2001, No.1, pp. 26-28 (11월, 2001)
  • [학술회의] 정상구, 김정희, 최연익, 가우시안 농도 분포를 갖는 PT-IGBT의 에미터 주입 효율, 대한전기학회 전기물성응용 부문회 추계학술대회, Vol.50, No.3, pp. 165-167 (11월, 2001)
  • [학술회의] 정상구, 문진우, Study of Characteristics of Dual Channel Trench IGBT, 하계학술대회, Vol.1, No.1, pp. 1470-1471 (7월, 2001)
  • [학술회의] 정상구, 김정희, 최연익, An SOI LDMOS with graded gate and recessed source, 하계학술대회, Vol.2001, No.1, pp. 1451-1453 (7월, 2001)
  • [학술회의] 정상구, 강영수, 이중 gate 를 갖는 trench emitter IGBT의 특성, 전기재료 분과 춘계 학술대회, Vol.34, No.1, pp. 38-40 (5월, 2000)
  • [학술회의] 정상구, 강영수, The characteristics of a dual gate trench IGBT, 춘계 학술대회, Vol.2000 년, No.01, pp. 38-40 (5월, 2000)
  • [학술회의] 정상구, 김민수, Effect of Anode Thickness on Forward Characteristics of PT-IGBT, 춘계학술대회, Vol.2000년, No.01, pp. 41-43 (5월, 2000)
  • [학술회의] 정상구, 김민수, Anode 두께에 따른 PT-IGBT의 순방향 특성 변화, 전기재료 분과 춘계학술대회, Vol.34, No.1, pp. 41-43 (5월, 2000)
  • [학술회의] 정상구, 최병성, IGBT의 콜렉터 구조에 따른 홀 주입효율의 변화, 1999년도 하계학술대회, Vol.논문집, pp. 1956-1958 (7월, 1999)
  • [학술회의] 정상구, 이세규, Local lifetime control 이 IGBT 의 스윗칭 및 래치업 특성에 미치는 영향, 1999 년도 하계학술대회, Vol.논문집, pp. 1953-1957 (7월, 1999)
  • [학술회의] 정상구, 김형우, 유승진, Trench Gate 구조를 이용한 LDMOS 의 항복전압 개선, 1999 년도 하계학술대회, Vol.논문집, pp. 1938-1940 (7월, 1999)
  • [학술회의] 정상구, 신동구, SIPOS 가 SOI PN Diode 의 항 복 전 압 에 미 치 는 영 향, 98 대 한 전 기 학 회 춘 계 학 술 대 회 논 문 집, Vol.98, No.01, pp. 195-198 (5월, 1998)
  • [학술회의] 정상구, 신동구, 최연익, 한승엽, SIPOS를 이용한 SOI RESURF 다이오드의 항복전압 특성, 대한전기학회 창립50주년 하계학술대회 논문집, Vol.1, No.1, pp. 1621-1623 (7월, 1997)
  • [학술회의] 최연익, 박일용, 정상구, 리치드루 갈륨비소 쇼트키 다이오드의 항복전압 모델링, 대한전기학회 전기재료연구회 춘계학술대회 논문집, Vol.1, No.1, pp. 147-150 (4월, 1997)
  • [학술회의] 정상구, 정진영, 한승엽, 이중 에피층을 갖는 쇼트키 다이오드의 항복전압 모형, 하계학술대회 논문집, pp. 1612-1614 (7월, 1996)
  • [학술회의] 정상구, 김성룡, 한승엽, RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형, 하계종합학술대회 논문집, Vol.19, No.1, pp. 297-300 (6월, 1996)
  • [학술회의] 정상구, 라경만, 신진철, RESURF pn 다이오드의 항복전압과 최적수평길이에 대한 해석적 표현, 추계종합학술대회논문집, Vol.16, No.2, pp. 493-495 (11월, 1993)
  • [학술회의] 정상구, 라경만, 문태훈, SOI RESURF 다이오드의 항복전압, 반도체재료 및 부품연구회 학술대회 논문집, (3월, 1993)
  • [학술회의] 라경만, 윤석남, 정상구, 산화막의 경사창을 통한 이온주입을 이용한 고전압 PN 다이오드의제작 및 특성, 추계종합학술대회논문집, Vol.16, No.2, pp. 496-498 (3월, 1993)
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